Продукты
Низкий уровень насыщения при падении сквозного давления (Vce (sat));
Низкие потери переключателя (Ets);
Высокое пробивное напряжение (BVces);
Высокий допуск тока короткого замыкания (Icsc);
Повторяемость и последовательность электрических параметров;
Высокая надежность.
| Device Model | Модуль IGBT MG200DB120T0 |
| Chip Characteristics | Низкие потери, быстро |
| VCES Voltage (v) | 1200 |
| IC @ Tc=100°C | 200 |
| Eon+Eoff @Tj=25 ℃typ(V) | 1.8 |
| Rth(J-C) (K/W) | 21@Rg=5.5 Ω |
| Упаковка | 62mm |
| Настройка | PIM с тормозами |
| Кругом | ![]() |
| N.G (g) | 329.0 |
| Применение | Моторные приводы, сервоприводы |







