La función del IGBT es actuar como un inversor que convierte la corriente continua en corriente alterna.
IGBT es un tipo de transistor de potencia que se usa ampliamente en redes eléctricas inteligentes, aeroespacial, vehículos de nueva energía, telecomunicaciones, electrónica de potencia, calentamiento por inducción y otros campos. Es un componente importante en la tecnología de la electrónica de potencia.
IGBT tiene alta impedancia de entrada, baja caída de voltaje de conducción, baja pérdida de conmutación, apagado rápido, alta confiabilidad y larga vida útil.
1. Circuito de accionamiento: debido al compromiso entre UCE (sat) y la tolerancia a cortocircuitos de IGBT, se recomienda seleccionar el voltaje de puerta como +UG=15V±10%,—UG =5~10V. La resistencia de la puerta está estrechamente relacionada con las características de encendido y apagado del IGBT. Se reduce la pérdida de conmutación de horas RG, se acorta el tiempo de conmutación y se aumenta el voltaje del pulso de apagado. El valor de RG apropiado debe elegirse basándose en el mejor compromiso entre sobretensión y pérdida de conmutación (dependiente de la frecuencia), normalmente elegido entre 10~27Ω. Para evitar que la puerta se abra, conecte una resistencia de 20 ~ 30 kΩ en paralelo con el emisor y el emisor.
2. Circuito de protección: cuando el módulo IGBT se utiliza a alta frecuencia, la inductancia del cableado es propensa a picos de voltaje y se debe prestar atención a la inductancia del cableado y la configuración de los componentes. Los elementos de protección deben ser: protección contra sobrecorriente, protección contra sobretensión, protección contra sobretensión y subtensión de puerta, área de trabajo segura, protección contra sobrecalentamiento.
3. Circuito de absorción: dado que la velocidad de conmutación del IGBT es rápida, es fácil generar sobretensión, por lo que se debe proporcionar un circuito de abrazadera contra sobretensiones.
4. Cuando los IGBT se utilizan en paralelo, se debe considerar el cableado del circuito de compuerta, el desequilibrio de corriente y el desequilibrio de temperatura entre los dispositivos.
