Productos
Caída de presión de conducción de baja saturación;
Baja pérdida del interruptor;
Alta tolerancia a la corriente de cortocircuito;
Alta consistencia de parámetros;
Alta resistencia de entrada;
Coeficiente de temperatura positivo, adecuado para uso paralelo.
| Modelo | IGBT Discretos MGM4N60T |
| Paquete | TO-252 |
| Diodo incorporado | Sí. |
| Vce (max) @25℃ | 600 |
| Ic (max) @25℃ | 8 |
| Ic (max) @100℃ | 4 |
| Icpuls (max) | 12 |
| Cortocircuito (uS) | 5 |
| Tvj (℃) | -40~+ 175 |
| VGE (th)(typ) | |
| VCE (sat)(typ) (Vge=15V) | 2.4 |
| Vf (Typ) | 1.4 |