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Productos Módulo IGBT
Módulo IGBT MG100DB120T1ML
Módulo IGBT MG100DB120T1ML
Módulo IGBT MG100DB120T1ML
MG100DB-3
MG100DB-1
MG100DB-2
Módulo IGBT MG100DB120T1ML
  • Caída de presión de conducción de baja saturación (vce (sat);

  • Baja pérdida de conmutación (ets);

  • Alta tensión de ruptura (bvces);

  • Tolerancia a la corriente de cortocircuito alto (icsc);

  • Repetibilidad y consistencia de los parámetros eléctricos;

  • Alta fiabilidad.

Parametros del Productos
ModeloMódulo IGBT MG100DB120T1ML
Chip CaracterísticasBaja pérdida, rápida
VCES Voltage (v)1200
IC @ Tc=100°C100
Eon+Eoff @Tj=25 ℃typ(V)2.5
Rth(J-C) (K/W)15.1@Rg=10Ω
Paquete34mm
ConfiguraciónPIM con Freno
Circuito
N.G (g)160.0
SolicitudAccionamientos de motores, Servomotores
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