Productos
Caída de presión de conducción de baja saturación (vce (sat);
Baja pérdida de conmutación (ets);
Alta tensión de ruptura (bvces);
Tolerancia a la corriente de cortocircuito alto (icsc);
Repetibilidad y consistencia de los parámetros eléctricos;
Alta fiabilidad.
| Modelo | Módulo IGBT MG100DB120T1ML |
| Chip Características | Baja pérdida, rápida |
| VCES Voltage (v) | 1200 |
| IC @ Tc=100°C | 100 |
| Eon+Eoff @Tj=25 ℃typ(V) | 2.5 |
| Rth(J-C) (K/W) | 15.1@Rg=10Ω |
| Paquete | 34mm |
| Configuración | PIM con Freno |
| Circuito | ![]() |
| N.G (g) | 160.0 |
| Solicitud | Accionamientos de motores, Servomotores |







