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Produits Discrets IGBT
IGBT discrets MGM4N60T
IGBT discrets MGM4N60T
IGBT discrets MGM4N60T
  • Low saturation conduction voltage drop;

  • Low switching loss;

  • High short circuit current tolerance;

  • High parameter consistency;

  • High input impedance;

  •  Positive temperature coefficient, suitable for parallel use.

CARACTÉRISTIQUES
Modèle d'appareilIGBT discrets MGM4N60T
EmballerTO-252
Diode intégréeyes
Vce (max) @25℃600
Ic (max) @25℃8
Ic (max) @100℃4
Icpuls (max)12
Court-circuit (uS)5
Tvj (℃)-40~+ 175
VGE (th)(typ)
VCE (sat)(typ) (Vge=15V)2.4
Vf (Typ)1.4
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