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Produits Module IGBT
Module IGBT MG150PB120K1
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Module IGBT MG150PB120K1
MG150PB-2
MG150PB-3
MG150PB-1
Module IGBT MG150PB120K1
  • Faible chute de pression en conduction saturée (VCE (SAT));

  • Faibles pertes de commutation (Ets);

  • Haute tension de claquage (bvces);

  • Haute tolérance au courant de court - circuit (ICSC);

  • Répétabilité et cohérence des paramètres électriques;

  • Haute fiabilité.

CARACTÉRISTIQUES
Modèle d'appareilModule IGBT MG150PB120K1
Caractéristiques de la puceFaible perte, rapide
VCES Tension (v)1200
IC @ Tc=100°C150
Eon+Eoff @Tj=25 ℃typ(V)2.15
Rth(J-C) (K/W)32.08@Rg=6.8Ω
EmballerÉconoPIM3
ConfigurationPIM avec frein
Circuit
N.G (g)313.9
ApplicationEntraînements de moteur, servomoteurs
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