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Produits Module IGBT
Module IGBT MG100DB120T1ML
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Module IGBT MG100DB120T1ML
MG100DB-3
MG100DB-1
MG100DB-2
Module IGBT MG100DB120T1ML
  • Faible chute de pression en conduction saturée (VCE (SAT));

  • Faibles pertes de commutation (Ets);

  • Haute tension de claquage (bvces);

  • Haute tolérance au courant de court - circuit (ICSC);

  • Répétabilité et cohérence des paramètres électriques;

  • Haute fiabilité.

CARACTÉRISTIQUES
Modèle d'appareilModule IGBT MG100DB120T1ML
Caractéristiques de la puceFaible perte, rapide
VCES Tension (v)1200
IC @ Tc=100°C100
Eon+Eoff @Tj=25 ℃typ(V)2.5
Rth(J-C) (K/W)15.1@Rg=10Ω
Emballer34mm
ConfigurationPIM avec frein
Circuit
N.G (g)160.0
ApplicationEntraînements de moteur, servomoteurs
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